FDMC510P
Trans MOSFET P-CH Si 20V 12A 8-Pin WDFN EP T/R
品牌:
库存:0
货期: 7~10工作日
FDMC510P
Trans MOSFET P-CH Si 20V 12A 8-Pin WDFN EP T/R
品牌:
库存:0
货期: 7~10工作日
FDMC510P
场效应管, MOSFET, P沟道, 20V, 18A, MLP3.3X3.3
品牌:onsemi
库存:0
货期: 7~10工作日
FDMC510P
Days to ship 3
品牌:onsemi
库存:0
货期: 7~10工作日
FDMC510P
Days to ship 8
品牌:onsemi
库存:0
货期: 7~10工作日
FDMC510P
MOSFET,P CH,20V,18A,MLP3.3X3.3
品牌:onsemi
库存:0
货期: 7~10工作日
属性 | 参数值 |
---|---|
品牌: | onsemi |
包装: | 剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | PowerTrench® |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | P 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 20 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 12A(Ta),18A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 1.5V,4.5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 8 毫欧 12A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 1V 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 116 nC 4.5 V |
Vgs(最大值): | ±8V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 7860 pF 10 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 2.3W(Ta),41W(Tc) |
工作温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | 8-MLP(3.3x3.3) |
封装/外壳: | 8-PowerWDFN |
温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
型号:
品牌:
供货:锐单
单价:
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00