销售单价： 8+ ￥1174.700016
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DigiKey
销售单价： 1+ ￥1956.483093
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销售单价： 3+ ￥1850.772731
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艾睿
FP100R12KT4B11BOSA1
Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 515mW 35-Pin ECONO3-3 Tray
品牌：Infineon Technologies
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 10+ ￥1661.891708
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FP100R12KT4B11BOSA1
晶体管, IGBT, 模块, N沟道, 1.2KV, 100A
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 1+ ￥1568.99713
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FP100R12KT4B11BOSA1
Days to ship 3
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 1+ ￥1754.51627
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FP100R12KT4B11BOSA1
Infineon 1200 V 100 A IGBT模块
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 10+ ￥1608.284294
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FP100R12KT4B11BOSA1
Infineon 1200 V 100 A IGBT模块
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 2+ ￥1064.081827
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FP100R12KT4B11BOSA1
Infineon 1200 V 100 A IGBT模块
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 1+ ￥1096.989659
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FP100R12KT4B11BOSA1
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Infineon Technologies |
| 包装: | 散装 |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | |
| 零件状态: | 在售 |
| IGBT 类型: | 沟槽型场截止 |
| 配置: | 三相反相器 |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）: | 1200 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: | 100 A |
| 功率 - 最大值: | 515 W |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: | 2.1V 15V，100A |
| 电流 - 集电极截止（最大值）: | 1 mA |
| 不同 Vce 时输入电容 (Cies): | 6.3 nF 25 V |
| 输入: | 标准 |
| NTC 热敏电阻: | 是 |
| 工作温度: | -40°C # 150°C |
| 安装类型: | 底座安装 |
| 封装/外壳: | 模块 |
| 供应商器件封装: | 模块 |
| 温度: | -40°C # 150°C |
型号：
品牌：
供货：锐单
库存： MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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