FQU13N06LTU-WS

自营

FQU13N06LTU-WS

MOSFET N-CH 60V 11A IPAK

品牌:ON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥4.217926
最低起订

DigiKey

FQU13N06LTU-WS

MOSFET N-CH 60V 11A IPAK

品牌:ON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥15.476485
最低起订

Mouser

FQU13N06LTU-WS

MOSFET N-CH 60V 11A IPAK

品牌:ON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: +
最低起订

艾睿

FQU13N06LTU-WS

Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

品牌:

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 5040+ ¥6.609254
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FQU13N06LTU-WS

Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

品牌:onsemi

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 309+ ¥2.397442
最低起订

FQU13N06LTU-WS

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: Tube
封装/外壳: *
系列: QFET®
零件状态: Active
FET 类型: N-Channel
技术: MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压(Vdss): 60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 11A (Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 5V, 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 115mOhm 5.5A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 6.4 nC 5 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 350 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 2.5W (Ta), 28W (Tc)
工作温度: -55°C # 150°C (TJ)
安装类型: Through Hole
供应商器件封装: I-PAK
封装/外壳: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
温度: -55°C # 150°C (TJ)

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供货:锐单

库存: MPQ:4000 MOQ:1

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