FDB2552

自营

FDB2552

MOSFET N-CH 150V 5A/37A TO263AB

品牌:ON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥33.197046
最低起订

FDB2552

MOSFET N-CH 150V 5A/37A TO263AB

品牌:ON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 10+ ¥21.088823
最低起订

FDB2552

MOSFET N-CH 150V 5A/37A TO263AB

品牌:ON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ 需询价
最低起订

FDB2552

MOSFET N-CH 150V 5A/37A TO263AB

品牌:ON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 800+ ¥10.082548
最低起订

FDB2552

FDB2552 VBSEMI/微碧半导体

品牌:

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥8.790541
最低起订

FDB2552

FDB2552 ISC/无锡固电半导体

品牌:ISC

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 10+ ¥13.698756
最低起订

自营

FDB2552

MOSFET N-CH 150V 5A/37A TO263AB

品牌:ON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 800+ ¥8.962461
最低起订

DigiKey

FDB2552

MOSFET N-CH 150V 5A/37A TO263AB

品牌:ON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 800+ ¥15.487102
最低起订

FDB2552

MOSFET N-CH 150V 5A/37A TO263AB

品牌:ON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥27.742729
最低起订

FDB2552

MOSFET N-CH 150V 5A/37A TO263AB

品牌:ON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥27.742729
最低起订

FDB2552

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5

品牌:ON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥11.55677
最低起订

Mouser

FDB2552

MOSFET N-CH 150V 5A/37A TO263AB

品牌:ON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥35.272611
最低起订

艾睿

FDB2552

Trans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

品牌:

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 800+ ¥13.278486
最低起订

FDB2552

Trans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

品牌:onsemi

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 6+ ¥13.575269
最低起订

FDB2552

场效应管, MOSFET, N沟道, 150V, 37A, TO-220AB-3

品牌:onsemi

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥21.626865
最低起订

FDB2552

Days to ship 8

品牌:onsemi

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥15.353639
最低起订

FDB2552

MOSFET, N CH, 150V, 37A, TO-220AB-3

品牌:onsemi

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥20.975093
最低起订

FDB2552

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: PowerTrench®
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5A(Ta),37A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 6V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 36 毫欧 16A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 51 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2800 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 150W(Tc)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: D²PAK(TO-263)
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
温度: -55°C # 175°C(TJ)

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供货:锐单

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