FDD1600N10ALZD

DigiKey

FDD1600N10ALZD

MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252-4L

品牌:Rochester

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥11.83407
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FDD1600N10ALZD

MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252-4L

品牌:ON

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MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252-4L

品牌:ON

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MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252-4L

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POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 6

品牌:ON

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Mouser

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MOSFET N-CH 100V 6.8A TO252-4L

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FDD1600N10ALZD

属性 参数值
品牌: Fairchild Semiconductor
包装: Bulk
封装/外壳: *
系列: PowerTrench®
零件状态: Obsolete
FET 类型: N-Channel
技术: MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压(Vdss): 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 6.8A (Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 5V, 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 160mOhm 3.4A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.8V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 3.61 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 225 pF 50 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 14.9W (Tc)
工作温度: -55°C # 150°C (TJ)
安装类型: Surface Mount
供应商器件封装: TO-252-4
封装/外壳: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
温度: -55°C # 150°C (TJ)

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