FDD6637-F085

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FDD6637-F085

MOSFET P-CH 35V 13A DPAK

品牌:ON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ 需询价
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FDD6637-F085

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®
零件状态: 停产
FET 类型: P 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 35 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 21A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 11.6 毫欧 14A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 63 nC 10 V
Vgs(最大值): ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2370 pF 20 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 68W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-252AA
封装/外壳: TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
温度: -55°C # 150°C(TJ)

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