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FDN338P
MOSFETs P-沟道 20V 3A SOT23-3
品牌：HUASHUO
库存：1000 +
货期： 1~2工作日
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自营
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FDN338P
该款消费级P沟道MOSFET采用SOT-23封装，适用于20V电压系统，提供2.3A电流处理能力。具备低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于电池保护、电源管理等场景，是电子设备高效能功率控制的理想选择。
品牌：
库存：1000 +
货期： 1~2工作日
销售单价： 20+ ￥0.190353
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自营
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DigiKey
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Mouser
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FDN338P
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | onsemi |
| 包装: | 剪切带（CT）,卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | PowerTrench® |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | P 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 20 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 1.6A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 2.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 115 毫欧 1.6A，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 1.5V 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 6.2 nC 4.5 V |
| Vgs（最大值）: | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 451 pF 10 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 500mW（Ta） |
| 工作温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | SOT-23-3 |
| 封装/外壳: | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
型号：
品牌：
供货：锐单
库存： MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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