销售单价： 2500+ ￥4.41634
最低起订
销售单价： 1+ 需询价
最低起订
FDD4N60NZ
FDD4N60NZ VBSEMI/台湾微碧半导体
品牌：VBsemi
库存：1000 +
货期： 1~2工作日
销售单价： 5+ ￥2.330183
最低起订
FDD4N60NZ
FDD4N60NZ VBSEMI/台湾微碧半导体
品牌：VBsemi
库存：1000 +
货期： 1~2工作日
销售单价： 5+ ￥2.207475
最低起订
销售单价： 500+ ￥3.334475
最低起订
DigiKey
销售单价： 1+ 需询价
最低起订
FDD4N60NZ
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
品牌：ON
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 1+ 需询价
最低起订
Mouser
销售单价： 1+ 需询价
最低起订
艾睿
FDD4N60NZ
Trans MOSFET N-CH 600V 3.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
品牌：
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 2500+ ￥5.084371
最低起订
FDD4N60NZ
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | onsemi |
| 包装: | 剪切带（CT）,卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | UniFET-II™ |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 3.4A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 2.5 欧姆 1.7A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 5V 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 10.8 nC 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±25V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 510 pF 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 114W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | TO-252AA |
| 封装/外壳: | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
型号：
品牌：
供货：锐单
库存： MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00