销售单价： 1+ ￥3.226586
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自营
销售单价： 1+ ￥3.56229
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FDC855N
FDC855N VBSEMI/台湾微碧半导体
品牌：VBsemi
库存：1000 +
货期： 1~2工作日
销售单价： 10+ ￥0.83508
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销售单价： 1+ ￥4.732371
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DigiKey
FDC855N
SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
品牌：ON Semiconductor
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 1265+ ￥3.401637
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Mouser
销售单价： 1+ ￥10.207483
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艾睿
FDC855N
Trans MOSFET N-CH 30V 6.1A 6-Pin TSOT-23 T/R
品牌：
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 3000+ ￥3.499561
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FDC855N
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | onsemi |
| 包装: | Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | PowerTrench® |
| 零件状态: | Active |
| FET 类型: | N-Channel |
| 技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏源电压（Vdss）: | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 6.1A (Ta) |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 4.5V, 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 27mOhm 6.1A, 10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 3V 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 13 nC 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 655 pF 15 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 1.6W (Ta) |
| 工作温度: | -55°C # 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 供应商器件封装: | SuperSOT™-6 |
| 封装/外壳: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| 温度: | -55°C # 150°C (TJ) |
型号：
品牌：
供货：锐单
库存： MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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