FDS86240
FDS86240 VBSEMI/台湾微碧半导体
品牌:VBsemi
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
FDS86240
FDS86240 VBSEMI/微碧半导体
品牌:
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
FDS86240
Trans MOSFET N-CH 150V 7.5A 8-Pin SOIC T/R
品牌:ON Semiconductor
库存:0
货期: 7~10工作日
FDS86240
场效应管, MOSFET, N沟道, 150V, 7.5A, 8SOIC
品牌:onsemi
库存:0
货期: 7~10工作日
FDS86240
FDS86240 Series 150 V 7.5 A 19.8 mOhm N-Ch PowerTrench MOSFET - SO-8
品牌:onsemi
库存:0
货期: 7~10工作日
FDS86240
MOSFET, N CH, 150V, 7.5A, 8SOIC
品牌:onsemi
库存:0
货期: 7~10工作日
属性 | 参数值 |
---|---|
品牌: | onsemi |
包装: | 散装,剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | PowerTrench® |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 150 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 7.5A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 6V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 19.8 毫欧 7.5A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4V 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 40 nC 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 2570 pF 75 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 2.5W(Ta),5W(Tc) |
工作温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | 8-SOIC |
封装/外壳: | 8-SOIC(0.154,3.90mm 宽) |
温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
型号:
品牌:
供货:锐单
单价:
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00