DigiKey
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GA10SICP12-263
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | GeneSiC Semiconductor |
| 包装: | 管件 |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | - |
| 技术: | SiC（碳化硅结晶体管） |
| 漏源电压（Vdss）: | 1200 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 25A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | - |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 100 毫欧 10A |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | - |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | - |
| Vgs（最大值）: | - |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1403 pF 800 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 170W（Tc） |
| 工作温度: | 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | TO-263-7 |
| 封装/外壳: | TO-263-8，D²Pak（7 引线+接片），TO-263CA |
| 温度: | 175°C（TJ） |
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品牌：
供货：锐单
库存： MPQ：4000 MOQ：1
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