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GT10G131(TE12L,Q)
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 包装: | 卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | |
| 零件状态: | 停产 |
| IGBT 类型: | - |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）: | 400 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: | - |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm): | 200 A |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: | 2.3V 4V，200A |
| 功率 - 最大值: | 1 W |
| 开关能量: | - |
| 输入类型: | 标准 |
| 栅极电荷: | - |
| 25°C 时 Td（开/关）值: | 3.1µs/2µs |
| 测试条件: | - |
| 反向恢复时间 (trr): | - |
| 工作温度: | 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 8-SOIC（0.173，4.40mm 宽） |
| 供应商器件封装: | 8-SOP（5.5x6.0） |
| 温度: | 150°C（TJ） |
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品牌：
供货：锐单
库存： MPQ：4000 MOQ：1
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