GT60N321(Q)

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GT60N321(Q)

IGBT 1000V 60A 170W TO3P LH

品牌:Toshiba

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

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GT60N321(Q)

属性 参数值
品牌: Toshiba Semiconductor and Storage
包装: 管件
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 停产
IGBT 类型: -
电压 - 集射极击穿(最大值): 1000 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值): 60 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm): 120 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值): 2.8V 15V,60A
功率 - 最大值: 170 W
开关能量: -
输入类型: 标准
栅极电荷: -
25°C 时 Td(开/关)值: 330ns/700ns
测试条件: -
反向恢复时间 (trr): 2.5 µs
工作温度: 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-3PL
供应商器件封装: TO-3P(LH)
温度: 150°C(TJ)

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