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GDZ11B-G3-08
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
| 包装: | 卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | GDZ-G |
| 零件状态: | 在售 |
| 电压 - 齐纳（标称值）(Vz): | 11 V |
| 容差: | ±4% |
| 功率 - 最大值: | 200 mW |
| 阻抗（最大值）(Zzt): | 30 Ohms |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: | 100 nA 8 V |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): | - |
| 工作温度: | -55°C # 150°C |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | SC-76，SOD-323 |
| 供应商器件封装: | SOD-323 |
| 温度: | -55°C # 150°C |
型号：
品牌：
供货：锐单
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