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HN1B04FU-Y(T5L,F,T
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 包装: | 剪切带（CT）,卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | |
| 零件状态: | 在售 |
| 晶体管类型: | NPN，PNP |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: | 150mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）: | 50V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: | 250mV 10mA，100mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值）: | 100nA（ICBO） |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: | 120 2mA，6V |
| 功率 - 最大值: | 200mW |
| 频率 - 跃迁: | 150MHz |
| 工作温度: | 125°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商器件封装: | US6 |
| 温度: | 125°C（TJ） |
型号：
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