自营
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HUF75343S3
N沟道 耐压:55V 电流:75A 类型:N沟道 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250uA 漏源电压(Vdss):55V 连续漏极电流(Id):75A 功率(Pd):270W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):9mΩ@75A,10V
品牌：HARRIS
库存：1000 +
货期： 1~2工作日
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自营
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DigiKey
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HUF75343S3
75 A, 55 V, 0.009 OHM, N-CHANNEL
品牌：HARRIS
库存：0
货期： 7~10工作日
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Mouser
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HUF75343S3
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | onsemi |
| 包装: | 管件 |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | UltraFET™ |
| 零件状态: | 停产 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 55 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 75A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 9 毫欧 75A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 205 nC 20 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 3000 pF 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 270W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C # 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | I2PAK（TO-262） |
| 封装/外壳: | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 温度: | -55°C # 175°C（TJ） |
型号：
品牌：
供货：锐单
库存： MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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