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HAT2210RWS-E
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Renesas Electronics America Inc |
| 包装: | 卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | |
| 零件状态: | 停产 |
| FET 类型: | 2 个 N 通道（双），肖特基 |
| FET 功能: | 逻辑电平栅极，4.5V 驱动 |
| 漏源电压（Vdss）: | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 7.5A（Ta），8A（Ta） |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 24 毫欧 3.75A，10V，22 毫欧 4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.5V 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 4.6nC 4.5V，11nC 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 630pF 10V，1330pF 10V |
| 功率 - 最大值: | 1.5W（Ta） |
| 工作温度: | 150°C |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | 8-SOIC（0.154，3.90mm 宽） |
| 供应商器件封装: | 8-SOP |
| 温度: | 150°C |
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