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艾睿
HGTP10N120BN
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 35A 298000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
品牌：
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 800+ ￥26.377761
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HGTP10N120BN
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | onsemi |
| 包装: | 管件 |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | |
| 零件状态: | 不适用于新设计 |
| IGBT 类型: | NPT |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）: | 1200 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: | 35 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm): | 80 A |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: | 2.7V 15V，10A |
| 功率 - 最大值: | 298 W |
| 开关能量: | 320µJ（开），800µJ（关） |
| 输入类型: | 标准 |
| 栅极电荷: | 100 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值: | 23ns/165ns |
| 测试条件: | 960V，10A，10 欧姆，15V |
| 反向恢复时间 (trr): | - |
| 工作温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 封装/外壳: | TO-220-3 |
| 供应商器件封装: | TO-220-3 |
| 温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
型号：
品牌：
供货：锐单
库存： MPQ：4000 MOQ：1
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