自营
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HGTG30N60A4D
HGTG30N60A4D VBSEMI/微碧半导体
品牌：
库存：1000 +
货期： 1~2工作日
销售单价： 1+ ￥10.988177
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DigiKey
销售单价： 450+ ￥54.311788
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Mouser
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艾睿
HGTG30N60A4D
Trans IGBT Chip N-CH 600V 70A 463000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
品牌：
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 1+ ￥79.379803
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HGTG30N60A4D
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | onsemi |
| 包装: | Tube |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | |
| 零件状态: | Not For New Designs |
| IGBT 类型: | - |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）: | 600 V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: | 75 A |
| 电流 - 集电极脉冲 (Icm): | 240 A |
| 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）: | 2.6V 15V, 30A |
| 功率 - 最大值: | 463 W |
| 开关能量: | 280µJ (on), 240µJ (off) |
| 输入类型: | Standard |
| 栅极电荷: | 225 nC |
| 25°C 时 Td（开/关）值: | 25ns/150ns |
| 测试条件: | 390V, 30A, 3Ohm, 15V |
| 反向恢复时间 (trr): | 55 ns |
| 工作温度: | -55°C # 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Through Hole |
| 封装/外壳: | TO-247-3 |
| 供应商器件封装: | TO-247-3 |
| 温度: | -55°C # 150°C (TJ) |
型号：
品牌：
供货：锐单
库存： MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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