HUF75639S3ST

自营

HUF75639S3ST

MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK

品牌:ON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥8.523271
最低起订

HUF75639S3ST

MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK

品牌:ON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥13.51812
最低起订

HUF75639S3ST

MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK

品牌:ON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥27.331526
最低起订

HUF75639S3ST

MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK

品牌:ON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥9.339951
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HUF75639S3ST

HUF75639S3ST VBSEMI/微碧半导体

品牌:

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 3+ ¥5.18014
最低起订

自营

HUF75639S3ST

MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK

品牌:ON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 800+ ¥10.561092
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DigiKey

HUF75639S3ST

MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK

品牌:ON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 800+ ¥18.249533
最低起订

HUF75639S3ST

MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK

品牌:ON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥32.651838
最低起订

HUF75639S3ST

MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK

品牌:ON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥32.651838
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HUF75639S3ST

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5

品牌:ON Semiconductor

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 235+ ¥15.831194
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Mouser

HUF75639S3ST

MOSFET N-CH 100V 56A D2PAK

品牌:ON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥41.514143
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艾睿

HUF75639S3ST

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

品牌:

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 800+ ¥14.851079
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HUF75639S3ST

Trans MOSFET N-CH Si 100V 56A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

品牌:onsemi

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 800+ ¥16.273657
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HUF75639S3ST

场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 56A, 175度 C, 200W

品牌:onsemi

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥24.836685
最低起订

HUF75639S3ST

Days to ship 9

品牌:onsemi

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥35.928749
最低起订

HUF75639S3ST

Days to ship 9

品牌:onsemi

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥31.369264
最低起订

HUF75639S3ST

品牌:onsemi

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 800+ ¥13.299846
最低起订

HUF75639S3ST

MOSFET, N-CH, 100V, 56A, 175DEG C, 200W

品牌:onsemi

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥24.40493
最低起订

HUF75639S3ST

属性 参数值
品牌: onsemi
包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: UltraFET™
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 56A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 25 毫欧 56A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 130 nC 20 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2000 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 200W(Tc)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: D²PAK(TO-263)
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
温度: -55°C # 175°C(TJ)

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