IPD60R400CEAUMA1
Trans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
品牌:Infineon Technologies
库存:0
货期: 7~10工作日
IPD60R400CEAUMA1
Trans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
品牌:
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Trans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
品牌:Infineon
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IPD60R400CEAUMA1
Trans MOSFET N-CH 600V 14.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
品牌:Infineon
库存:0
货期: 7~10工作日
IPD60R400CEAUMA1
场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 14.7A, TO-252
品牌:Infineon
库存:0
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IPD60R400CEAUMA1
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品牌:Infineon
库存:0
货期: 7~10工作日
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品牌:Infineon
库存:0
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IPD60R400CEAUMA1
品牌:Infineon
库存:0
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IPD60R400CEAUMA1
品牌:Infineon
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IPD60R400CEAUMA1
MOSFET, N-CH, 600V, 14.7A, TO-252
品牌:Infineon
库存:0
货期: 7~10工作日
IPD60R400CEAUMA1
Infineon N沟道MOS管, Vds=600 V, 14.7 A, DPAK (TO-252), 贴片安装, 3引脚
品牌:Infineon
库存:0
货期: 7~10工作日
IPD60R400CEAUMA1
Infineon N沟道MOS管, Vds=600 V, 14.7 A, DPAK (TO-252), 贴片安装, 3引脚
品牌:Infineon
库存:0
货期: 7~10工作日
属性 | 参数值 |
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品牌: | Infineon Technologies |
包装: | 剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | CoolMOS™ CE |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 600 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 14.7A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 400 毫欧 3.8A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 3.5V 300µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 32 nC 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 700 pF 100 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 112W(Tc) |
工作温度: | -40°C # 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | PG-TO252-2 |
封装/外壳: | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
温度: | -40°C # 150°C(TJ) |
型号:
品牌:
供货:锐单
单价:
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00