IRLR8743TRPBF
IRLR8743TRPBF VBSEMI/微碧半导体
品牌:
库存:1000 +
货期: 1~2工作日
IRLR8743TRPBF
IRLR8743TRPBF BYCHIP/百域芯
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库存:1000 +
货期: 1~2工作日
IRLR8743TRPBF
IRLR8743TRPBF UDU SEMICONDUTOR/佑德半导体
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库存:1000 +
货期: 1~2工作日
IRLR8743TRPBF
Trans MOSFET N-CH 30V 160A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
品牌:
库存:0
货期: 7~10工作日
IRLR8743TRPBF
场效应管, MOSFET, N沟道, 30V, 160A, TO-252AA
品牌:Infineon
库存:0
货期: 7~10工作日
IRLR8743TRPBF
Days to ship 3
品牌:Infineon
库存:0
货期: 7~10工作日
IRLR8743TRPBF
Days to ship 3
品牌:Infineon
库存:0
货期: 7~10工作日
IRLR8743TRPBF
品牌:Infineon
库存:0
货期: 7~10工作日
IRLR8743TRPBF
Single N-Channel 30V 3.1 mOhm 39 nC HEXFET Power Mosfet - TO-252AA
品牌:Infineon
库存:0
货期: 7~10工作日
IRLR8743TRPBF
MOSFET, N-CH, 30V, 160A, TO-252AA
品牌:Infineon
库存:0
货期: 7~10工作日
IRLR8743TRPBF
Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=30 V, 160 A, DPAK (TO-252)封装, 表面贴装, 3引脚
品牌:Infineon
库存:0
货期: 7~10工作日
属性 | 参数值 |
---|---|
品牌: | Infineon Technologies |
包装: | 剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | HEXFET® |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 30 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 160A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 3.1 毫欧 25A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.35V 100µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 59 nC 4.5 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 4880 pF 15 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 135W(Tc) |
工作温度: | -55°C # 175°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | D-Pak |
封装/外壳: | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
温度: | -55°C # 175°C(TJ) |
型号:
品牌:
供货:锐单
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货期:1-2天
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