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IRF6717MTRPBF
IRF6717MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 25V 38A 7-Pin Direct-FET MX T/R Si - Arrow.com
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IRF6717MTRPBF
IRF6717MTRPBF Infineon Technologies AG Transistors MOSFETs N-CH Si 25V 38A 7-Pin Direct-FET MX T/R Si - Arrow.com
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IRF6717MTRPBF
场效应管, MOSFET, N沟道, 25V, 38A, DIRECTFET MX
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IRF6717MTRPBF
Days to ship 3
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IRF6717MTRPBF
Days to ship 8
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IRF6717MTRPBF
MOSFET, N-CH, 25V, 38A, DIRECTFET MX
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IRF6717MTRPBF
MOS管, Vds=25 V, 38 A, MG-WDSON-5封装, 表面贴装
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IRF6717MTRPBF
MOS管, Vds=25 V, 38 A, MG-WDSON-5封装, 表面贴装
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IRF6717MTRPBF
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Infineon Technologies |
| 包装: | Digi-Reel®,Cut Tape (CT),Tape & Reel (TR) |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | HEXFET® |
| 零件状态: | Active |
| FET 类型: | N-Channel |
| 技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏源电压（Vdss）: | 25 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 38A (Ta), 200A (Tc) |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 4.5V, 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 1.25mOhm 38A, 10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.35V 150µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 69 nC 4.5 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 6750 pF 13 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 2.8W (Ta), 96W (Tc) |
| 工作温度: | -40°C # 150°C (TJ) |
| 安装类型: | Surface Mount |
| 供应商器件封装: | DIRECTFET™ MX |
| 封装/外壳: | DirectFET™ Isometric MX |
| 温度: | -40°C # 150°C (TJ) |
型号：
品牌：
供货：锐单
单价：
货期：1-2天
单价：￥0.00总价：￥0.00