IMW120R060M1HXKSA1
SIC DISCRETE
品牌:Infineon Technologies
库存:0
货期: 7~10工作日
IMW120R060M1HXKSA1
Silicon Carbide MOSFET
品牌:Infineon
库存:0
货期: 7~10工作日
IMW120R060M1HXKSA1
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
品牌:Infineon
库存:0
货期: 7~10工作日
IMW120R060M1HXKSA1
场效应管, MOSFET, N沟道, 1.2KV, 36A, 175度 C, 150W
品牌:Infineon
库存:0
货期: 7~10工作日
IMW120R060M1HXKSA1
Days to ship 8
品牌:Infineon
库存:0
货期: 7~10工作日
IMW120R060M1HXKSA1
Days to ship 9
品牌:Infineon
库存:0
货期: 7~10工作日
IMW120R060M1HXKSA1
品牌:Infineon
库存:0
货期: 7~10工作日
IMW120R060M1HXKSA1
MOSFET, N-CH, 1.2KV, 36A, 175DEG C, 150W
品牌:Infineon
库存:0
货期: 7~10工作日
属性 | 参数值 |
---|---|
品牌: | Infineon Technologies |
包装: | 管件 |
封装/外壳: | * |
系列: | CoolSiC™ |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | SiCFET(碳化硅) |
漏源电压(Vdss): | 1200 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 36A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 15V,18V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 78 毫欧 13A,18V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 5.7V 5.6mA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 31 nC 18 V |
Vgs(最大值): | +23V,-7V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 1060 pF 800 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 150W(Tc) |
工作温度: | -55°C # 175°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
供应商器件封装: | PG-TO247-3-41 |
封装/外壳: | TO-247-3 |
温度: | -55°C # 175°C(TJ) |
型号:
品牌:
供货:锐单
单价:
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00