IRFD9020PBF
Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-Pin HVMDIP
品牌:Vishay
库存:0
货期: 7~10工作日
IRFD9020PBF
MOSFET 60V P-CH HEXFET MOSFET H
品牌:VISHAY
库存:0
货期: 7~10工作日
IRFD9020PBF
Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 1.6 A, HVMDIP封装, 通孔安装, 4引脚
品牌:VISHAY
库存:0
货期: 7~10工作日
IRFD9020PBF
Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 1.6 A, HVMDIP封装, 通孔安装, 4引脚
品牌:VISHAY
库存:0
货期: 7~10工作日
属性 | 参数值 |
---|---|
品牌: | Vishay Siliconix |
包装: | Tube |
封装/外壳: | * |
系列: | |
零件状态: | Active |
FET 类型: | P-Channel |
技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
漏源电压(Vdss): | 60 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 1.6A (Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 280mOhm 960mA, 10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4V 1µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 19 nC 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 570 pF 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 1.3W (Ta) |
工作温度: | -55°C # 175°C (TJ) |
安装类型: | Through Hole |
供应商器件封装: | 4-HVMDIP |
封装/外壳: | 4-DIP (0.300#, 7.62mm) |
温度: | -55°C # 175°C (TJ) |
型号:
品牌:
供货:锐单
单价:
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00