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IPD90P04P4L04ATMA2
Trans MOSFET P-CH 40V 90A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
品牌：
库存：0
货期： 7~10工作日
IPD90P04P4L04ATMA2
场效应管, MOSFET, P沟道, 40V, 90A, TO-252
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IPD90P04P4L04ATMA2
Days to ship 3
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IPD90P04P4L04ATMA2
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IPD90P04P4L04ATMA2
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IPD90P04P4L04ATMA2
MOSFET, P-CH, 40V, 90A, TO-252
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IPD90P04P4L04ATMA2
Infineon P沟道MOS管, Vds=40 V, 90 A, PG-TO252-3-313, 贴片安装, IPD90P04P4L04ATMA2
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IPD90P04P4L04ATMA2
Infineon P沟道MOS管, Vds=40 V, 90 A, PG-TO252-3-313, 贴片安装, IPD90P04P4L04ATMA2
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IPD90P04P4L04ATMA2
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Infineon Technologies |
| 包装: | 剪切带（CT）,卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | OptiMOS®-P2 |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | P 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 40 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 90A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 4.3 毫欧 90A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.2V 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 176 nC 10 V |
| Vgs（最大值）: | +5V，-16V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 11570 pF 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 125W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C # 175°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | PG-TO252-3-313 |
| 封装/外壳: | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 温度: | -55°C # 175°C（TJ） |
型号：
品牌：
供货：锐单
单价：
货期：1-2天
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