IRF620STRLPBF

自营

IRF620STRLPBF

MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK

品牌:Vishay

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥16.598523
最低起订

IRF620STRLPBF

MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK

品牌:Vishay

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 10+ ¥8.302487
最低起订

IRF620STRLPBF

MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK

品牌:Vishay

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 125+ ¥14.90859
最低起订

IRF620STRLPBF

MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK

品牌:Vishay

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 10+ ¥18.942351
最低起订

IRF620STRLPBF

MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK

品牌:Vishay

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥7.385648
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IRF620STRLPBF

MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK

品牌:Vishay

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ 需询价
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IRF620STRLPBF

MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK

品牌:Vishay

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 8+ ¥11.02464
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自营

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MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK

品牌:Vishay

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 800+ ¥7.900769
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DigiKey

IRF620STRLPBF

MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK

品牌:Vishay

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 800+ ¥13.684735
最低起订

IRF620STRLPBF

MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK

品牌:Vishay

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥24.423008
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IRF620STRLPBF

MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK

品牌:Vishay

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥24.423008
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Mouser

IRF620STRLPBF

MOSFET N-CH 200V 5.2A D2PAK

品牌:Vishay

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥27.249711
最低起订

艾睿

IRF620STRLPBF

Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

品牌:

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 800+ ¥11.140139
最低起订

IRF620STRLPBF

MOSFET N-Chan 200V 5.2 Amp

品牌:VISHAY

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 800+ ¥8.606164
最低起订

IRF620STRLPBF

Trans MOSFET N-CH 200V 5.2A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

品牌:VISHAY

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 7+ ¥4.026049
最低起订

IRF620STRLPBF

Single N-Channel 200 V 0.8 Ohms Surface Mount Power Mosfet - D2PAK

品牌:VISHAY

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥17.2839
最低起订

IRF620STRLPBF

属性 参数值
品牌: Vishay Siliconix
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 5.2A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 800 毫欧 3.1A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 14 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 260 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 3W(Ta),50W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: D2PAK
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
温度: -55°C # 150°C(TJ)

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供货:锐单

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