销售单价： 1+ ￥88.519728
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DigiKey
销售单价： 2000+ ￥119.145772
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Mouser
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艾睿
IGT60R190D1SATMA1
Trans JFET N-CH 600V 12.5A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
品牌：Infineon Technologies
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 1+ ￥124.686739
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IGT60R190D1SATMA1
Trans JFET N-CH 600V 12.5A GaN 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 1+ ￥75.445271
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IGT60R190D1SATMA1
场效应管, MOSFET, N沟道, 600V, 12.5A, 55.5W
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 1+ ￥158.226282
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IGT60R190D1SATMA1
Days to ship 8
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 1+ ￥94.688521
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IGT60R190D1SATMA1
MOSFET, N-CH, 600V, 12.5A, 55.5W
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 1+ ￥196.580022
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IGT60R190D1SATMA1
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Infineon Technologies |
| 包装: | 散装,剪切带（CT）,卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | CoolGaN™ |
| 零件状态: | 停产 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | GaNFET（氮化镓） |
| 漏源电压（Vdss）: | 600 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 12.5A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | - |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | - |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 1,6V 960µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | - |
| Vgs（最大值）: | -10V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 157 pF 400 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 55,5W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | PG-HSOF-8-3 |
| 封装/外壳: | 8-PowerSFN |
| 温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
型号：
品牌：
供货：锐单
库存： MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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