IPB065N15N3GATMA1

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MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7

品牌:INFINEON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥83.335483
最低起订

自营

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MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7

品牌:INFINEON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥80.118744
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MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7

品牌:INFINEON

库存:1000 +

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销售单价: 1+ ¥63.345436
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MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7

品牌:INFINEON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ 需询价
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自营

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MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7

品牌:INFINEON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1000+ ¥24.005305
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DigiKey

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MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7

品牌:INFINEON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1000+ ¥58.723336
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MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7

品牌:INFINEON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥103.514048
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MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7

品牌:INFINEON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥103.514048
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Mouser

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MOSFET N-CH 150V 130A TO263-7

品牌:INFINEON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥108.736581
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艾睿

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Trans MOSFET N-CH 150V 130A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

品牌:Infineon Technologies

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥111.189687
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Trans MOSFET N-CH 150V 130A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

品牌:Infineon

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1000+ ¥27.49241
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Trans MOSFET N-CH 150V 130A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R

品牌:Infineon

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货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 2+ ¥64.300947
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场效应管, MOSFET, N沟道, 150V, 130A, TO-263-7

品牌:Infineon

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥67.416975
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Days to ship 8

品牌:Infineon

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥67.626993
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Days to ship 9

品牌:Infineon

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1000+ ¥29.605429
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IPB065N15N3GATMA1

Single N-Channel 150 V 6.5 mOhm 70 nC OptiMOS Power Mosfet - D2PAK-7

品牌:Infineon

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1000+ ¥26.700925
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IPB065N15N3GATMA1

MOSFET, N CH, 150V, 130A, TO-263-7

品牌:Infineon

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥70.295948
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Infineon N沟道增强型MOS管 OptiMOS 3系列, Vds=150 V, 130 A, D2PAK-7封装, 表面贴装, 7引脚

品牌:Infineon

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 2+ ¥101.748965
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Infineon N沟道增强型MOS管 OptiMOS 3系列, Vds=150 V, 130 A, D2PAK-7封装, 表面贴装, 7引脚

品牌:Infineon

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1000+ ¥74.699213
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属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: OptiMOS™
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 130A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 8V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 6.5 毫欧 100A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 270µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 93 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 7300 pF 75 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 300W(Tc)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-TO263-7
封装/外壳: TO-263-7,D²Pak(6 引线 + 接片)
温度: -55°C # 175°C(TJ)

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