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IMD16AT108
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Rohm Semiconductor |
| 包装: | 剪切带（CT）,卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | |
| 零件状态: | 在售 |
| 晶体管类型: | 1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双） |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: | 100mA，500mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值）: | 50V |
| 电阻器 - 基极 (R1): | 100 千欧，2.2 千欧 |
| 电阻器 - 发射极 (R2): | 22 千欧 |
| 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: | 100 1mA，5V / 82 50mA，5V |
| 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: | 300mV 2.5mA，50mA / 300mV 100µA，1mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值）: | - |
| 频率 - 跃迁: | 250MHz |
| 功率 - 最大值: | 300mW |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 封装/外壳: | SC-74，SOT-457 |
| 供应商器件封装: | SMT6 |
| 温度: |
型号：
品牌：
供货：锐单
库存： MPQ：4000 MOQ：1
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