IGO60R070D1AUMA1

DigiKey

IGO60R070D1AUMA1

IC GAN FET 600V 60A 20DSO

品牌:INFINEON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ 需询价
最低起订

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IC GAN FET 600V 60A 20DSO

品牌:INFINEON

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IC GAN FET 600V 60A 20DSO

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IGO60R070D1AUMA1

GANFET N-CH 600V 31A 20DSO

品牌:INFINEON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 18+ ¥210.077624
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Mouser

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IC GAN FET 600V 60A 20DSO

品牌:INFINEON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥405.823718
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IGO60R070D1AUMA1

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 散装,剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: CoolGaN™
零件状态: 停产
FET 类型: N 通道
技术: GaNFET(氮化镓)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 31A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): -
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): -
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 1,6V 2,6mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): -
Vgs(最大值): -10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 380 pF 400 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 125W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-DSO-20-85
封装/外壳: 20-PowerSOIC(0.433,11.00mm 宽)
温度: -55°C # 150°C(TJ)

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