IPN50R1K4CEATMA1

DigiKey

IPN50R1K4CEATMA1

MOSFET N-CH 500V 4.8A SOT223

品牌:INFINEON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 3000+ ¥3.117485
最低起订

IPN50R1K4CEATMA1

MOSFET N-CH 500V 4.8A SOT223

品牌:INFINEON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥8.751175
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IPN50R1K4CEATMA1

MOSFET N-CH 500V 4.8A SOT223

品牌:INFINEON

库存:0

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销售单价: 1+ ¥8.751175
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Mouser

IPN50R1K4CEATMA1

MOSFET N-CH 500V 4.8A SOT223

品牌:INFINEON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥9.64214
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艾睿

IPN50R1K4CEATMA1

Trans MOSFET N-CH 500V 3.1A 3-Pin SOT-223 T/R

品牌:

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货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 3000+ ¥2.617068
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IPN50R1K4CEATMA1

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: CoolMOS™ CE
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 500 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.8A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 13V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.4 欧姆 900mA,13V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.5V 70µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 8.2 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 178 pF 100 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 5W(Tc)
工作温度: -40°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: PG-SOT223-3
封装/外壳: TO-261-4,TO-261AA
温度: -40°C # 150°C(TJ)

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