自营
IXTN200N10L2
N沟道 耐压:100V 电流:178A 5件套
品牌：
库存：1000 +
货期： 1~2工作日
销售单价： 1+ ￥177.929798
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销售单价： 100+ ￥187.24501
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IXTN200N10L2
IXTN200N10L2 美国力特
品牌：Zilog
库存：1000 +
货期： 1~2工作日
销售单价： 1+ 需询价
最低起订
自营
销售单价： 1+ ￥372.325613
最低起订
DigiKey
销售单价： 1+ ￥627.272578
最低起订
Mouser
销售单价： 1+ ￥833.626351
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艾睿
IXTN200N10L2
Trans MOSFET N-CH 100V 178A 4-Pin SOT-227
品牌：
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 300+ ￥486.729207
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IXTN200N10L2
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | IXYS |
| 包装: | 散装 |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | Linear L2™ |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 178A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 11 毫欧 100A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4.5V 3mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 540 nC 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 23000 pF 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 830W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 底座安装 |
| 供应商器件封装: | SOT-227B |
| 封装/外壳: | SOT-227-4，miniBLOC |
| 温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
型号：
品牌：
供货：锐单
库存： MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00