IPAN70R600P7SXKSA1

IPAN70R600P7SXKSA1

MOSFET N-CH 700V 8.5A TO220

品牌:INFINEON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥28.778519
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自营

IPAN70R600P7SXKSA1

MOSFET N-CH 700V 8.5A TO220

品牌:INFINEON

库存:1000 +

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销售单价: 1+ ¥29.514556
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IPAN70R600P7SXKSA1

MOSFET N-CH 700V 8.5A TO220

品牌:INFINEON

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DigiKey

IPAN70R600P7SXKSA1

MOSFET N-CH 700V 8.5A TO220

品牌:INFINEON

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Mouser

IPAN70R600P7SXKSA1

MOSFET N-CH 700V 8.5A TO220

品牌:INFINEON

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销售单价: 1+ ¥17.157792
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艾睿

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P7 Power Transistor

品牌:

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销售单价: 500+ ¥6.018907
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IPAN70R600P7SXKSA1

场效应管, MOSFET, N沟道, 700V, 150度 C, 24.9W

品牌:Infineon

库存:0

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销售单价: 1+ ¥11.425391
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IPAN70R600P7SXKSA1

MOSFET, N-CH, 700V, 150DEG C, 24.9W

品牌:Infineon

库存:0

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销售单价: 1+ ¥11.862162
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IPAN70R600P7SXKSA1

Infineon N沟道MOS管, Vds=700 V, 8.5 A, TO-220 FP封装, 通孔安装, 3引脚

品牌:Infineon

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销售单价: 20+ ¥6.916459
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IPAN70R600P7SXKSA1

Infineon N沟道MOS管, Vds=700 V, 8.5 A, TO-220 FP封装, 通孔安装, 3引脚

品牌:Infineon

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货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 50+ ¥6.915264
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IPAN70R600P7SXKSA1

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 管件
封装/外壳: *
系列: CoolMOS™ P7
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8.5A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 600 毫欧 1.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.5V 90µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 10.5 nC 10 V
Vgs(最大值): ±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 364 pF 400 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 24.9W(Tc)
工作温度: -40°C # 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: PG-TO220-FP
封装/外壳: TO-220-3 整包
温度: -40°C # 150°C(TJ)

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