IPS70R600P7SAKMA1

自营

IPS70R600P7SAKMA1

MOSFET N-CH 700V 8.5A TO251-3

品牌:INFINEON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥9.659707
最低起订

IPS70R600P7SAKMA1

MOSFET N-CH 700V 8.5A TO251-3

品牌:INFINEON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥2.675189
最低起订

自营

IPS70R600P7SAKMA1

MOSFET N-CH 700V 8.5A TO251-3

品牌:INFINEON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥7.596521
最低起订

DigiKey

IPS70R600P7SAKMA1

MOSFET N-CH 700V 8.5A TO251-3

品牌:INFINEON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥13.126763
最低起订

Mouser

IPS70R600P7SAKMA1

MOSFET N-CH 700V 8.5A TO251-3

品牌:INFINEON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥13.911715
最低起订

IPS70R600P7SAKMA1

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: Tube
封装/外壳: *
系列: CoolMOS™ P7
零件状态: Active
FET 类型: N-Channel
技术: MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压(Vdss): 700 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 8.5A (Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 600mOhm 1.8A, 10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 3.5V 90µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 10.5 nC 10 V
Vgs(最大值): ±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 364 pF 400 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 43W (Tc)
工作温度: -40°C # 150°C (TJ)
安装类型: Through Hole
供应商器件封装: PG-TO251-3
封装/外壳: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
温度: -40°C # 150°C (TJ)

锐单logo

型号:

品牌:

供货:锐单

库存: MPQ:4000 MOQ:1

单价:

货期:1-2天

+ -

单价:¥0.00总价:¥0.00

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台