IRFZ34NSTRLPBF

IRFZ34NSTRLPBF

MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK

品牌:INFINEON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 10+ ¥18.351216
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自营

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MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK

品牌:INFINEON

库存:1000 +

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MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK

品牌:INFINEON

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MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK

品牌:INFINEON

库存:1000 +

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MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK

品牌:INFINEON

库存:1000 +

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MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK

品牌:INFINEON

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MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK

品牌:INFINEON

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MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK

品牌:INFINEON

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MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK

品牌:INFINEON

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自营

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MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK

品牌:INFINEON

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销售单价: 800+ ¥5.86033
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DigiKey

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MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK

品牌:INFINEON

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货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 800+ ¥10.199598
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MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK

品牌:INFINEON

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IRFZ34NSTRLPBF

MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK

品牌:INFINEON

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Mouser

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MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK

品牌:INFINEON

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销售单价: 1+ ¥23.288997
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艾睿

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Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

品牌:

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IRFZ34NSTRLPBF

Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

品牌:Infineon

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销售单价: 36+ ¥8.17604
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IRFZ34NSTRLPBF

Trans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

品牌:Infineon

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销售单价: 12+ ¥6.421407
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IRFZ34NSTRLPBF

场效应管, MOSFET, N沟道, 55V, 29A, TO-263

品牌:Infineon

库存:0

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销售单价: 1+ ¥13.593693
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IRFZ34NSTRLPBF

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品牌:Infineon

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销售单价: 800+ ¥4.200586
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IRFZ34NSTRLPBF

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品牌:Infineon

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销售单价: 10+ ¥6.531351
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品牌:Infineon

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货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 25+ ¥10.822839
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IRFZ34NSTRLPBF

品牌:Infineon

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销售单价: 800+ ¥6.77342
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IRFZ34NSTRLPBF

Single N-Channel 55V 0.04 Ohm 34 nC HEXFET Power Mosfet - D2PAK

品牌:Infineon

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 800+ ¥5.642365
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IRFZ34NSTRLPBF

品牌:Infineon

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货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 800+ ¥6.661463
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IRFZ34NSTRLPBF

MOSFET, N-CH, 55V, 29A, TO-263

品牌:Infineon

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销售单价: 1+ ¥14.382058
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IRFZ34NSTRLPBF

Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=55 V, 29 A, D2PAK封装, 表面贴装, 3引脚

品牌:Infineon

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销售单价: 20+ ¥6.937816
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Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=55 V, 29 A, D2PAK封装, 表面贴装, 3引脚

品牌:Infineon

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销售单价: 800+ ¥5.047562
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IRFZ34NSTRLPBF

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: HEXFET®
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 29A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 40 毫欧 16A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 34 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 700 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 3.8W(Ta),68W(Tc)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: D2PAK
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
温度: -55°C # 175°C(TJ)

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供货:锐单

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