IRFS3004TRLPBF

IRFS3004TRLPBF

MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK

品牌:INFINEON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥11.529648
最低起订

自营

IRFS3004TRLPBF

MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK

品牌:INFINEON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥13.123651
最低起订

自营

IRFS3004TRLPBF

MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK

品牌:INFINEON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 800+ ¥20.072151
最低起订

DigiKey

IRFS3004TRLPBF

MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK

品牌:INFINEON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 800+ ¥29.618879
最低起订

IRFS3004TRLPBF

MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK

品牌:INFINEON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥49.095232
最低起订

IRFS3004TRLPBF

MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK

品牌:INFINEON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥49.095232
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Mouser

IRFS3004TRLPBF

MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK

品牌:INFINEON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥59.569136
最低起订

艾睿

IRFS3004TRLPBF

Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

品牌:Infineon Technologies

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 800+ ¥26.67937
最低起订

IRFS3004TRLPBF

Trans MOSFET N-CH Si 40V 340A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

品牌:

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥48.988155
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IRFS3004TRLPBF

场效应管, MOSFET, N沟道, 40V, 195A, TO-263AB

品牌:Infineon

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥32.684016
最低起订

IRFS3004TRLPBF

Days to ship 3

品牌:Infineon

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥12.062909
最低起订

IRFS3004TRLPBF

Days to ship 8

品牌:Infineon

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 800+ ¥15.870262
最低起订

IRFS3004TRLPBF

MOSFET, N-CH, 40V, 195A, TO-263AB

品牌:Infineon

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥34.533451
最低起订

IRFS3004TRLPBF

Infineon N沟道MOS管, Vds=40 V, 340 A, TO-220, PCB安装, IRFS3004TRLPBF

品牌:Infineon

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 800+ ¥18.032583
最低起订

IRFS3004TRLPBF

Infineon N沟道MOS管, Vds=40 V, 340 A, TO-220, PCB安装, IRFS3004TRLPBF

品牌:Infineon

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 10+ ¥21.829157
最低起订

IRFS3004TRLPBF

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 剪切带(CT),卷带(TR)
封装/外壳: *
系列: HEXFET®
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 195A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 1.75 毫欧 195A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 240 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 9200 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 380W(Tc)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: D2PAK
封装/外壳: TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
温度: -55°C # 175°C(TJ)

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供货:锐单

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