自营
DigiKey
ISP12DP06NMXTSA1
MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT223-4
品牌：INFINEON
库存：0
货期： 7~10工作日
ISP12DP06NMXTSA1
MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT223-4
品牌：INFINEON
库存：0
货期： 7~10工作日
ISP12DP06NMXTSA1
MOSFET P-CH 60V 2.8A SOT223-4
品牌：INFINEON
库存：0
货期： 7~10工作日
Mouser
艾睿
ISP12DP06NMXTSA1
Trans MOSFET P-CH 60V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
品牌：Infineon Technologies
库存：0
货期： 7~10工作日
ISP12DP06NMXTSA1
Trans MOSFET P-CH 60V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
ISP12DP06NMXTSA1
Trans MOSFET P-CH 60V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
ISP12DP06NMXTSA1
Days to ship 3
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
ISP12DP06NMXTSA1
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Infineon Technologies |
| 包装: | 卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | OptiMOS™ |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | P 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 60 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 2.8A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 125 毫欧 2.8A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V 520µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 20.2 nC 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 790 pF 30 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 1.8W（Ta），4.2W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | PG-SOT223-4 |
| 封装/外壳: | TO-261-4，TO-261AA |
| 温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
型号：
品牌：
供货：锐单
单价：
货期：1-2天
单价：￥0.00总价：￥0.00