自营
销售单价： 1+ ￥6.490798
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销售单价： 1+ ￥3.644036
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IRL530NPBF
IRL530NPBF VBSEMI/台湾微碧半导体
品牌：VBsemi
库存：1000 +
货期： 1~2工作日
销售单价： 5+ ￥2.330183
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IRL530NPBF
IRL530NPBF VBSEMI/台湾微碧半导体
品牌：VBsemi
库存：1000 +
货期： 1~2工作日
销售单价： 5+ ￥2.207475
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IRL530NPBF
IRL530NPBF JSMICRO/深圳杰盛微
品牌：JSMSEMI
库存：1000 +
货期： 1~2工作日
销售单价： 50+ ￥1.286237
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销售单价： 250+ ￥5.197676
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IRL530NPBF
IRL530NPBF VBSEMI/微碧半导体
品牌：
库存：1000 +
货期： 1~2工作日
销售单价： 1+ ￥2.040661
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DigiKey
销售单价： 1+ 需询价
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Mouser
销售单价： + ￥
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艾睿
IRL530NPBF
Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
品牌：
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 2000+ ￥5.506118
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IRL530NPBF
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Infineon Technologies |
| 包装: | Tube |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | HEXFET® |
| 零件状态: | Last Time Buy |
| FET 类型: | N-Channel |
| 技术: | MOSFET (Metal Oxide) |
| 漏源电压（Vdss）: | 100 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 17A (Tc) |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 4V, 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 100mOhm 9A, 10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2V 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 34 nC 5 V |
| Vgs（最大值）: | ±16V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 800 pF 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 79W (Tc) |
| 工作温度: | -55°C # 175°C (TJ) |
| 安装类型: | Through Hole |
| 供应商器件封装: | TO-220AB |
| 封装/外壳: | TO-220-3 |
| 温度: | -55°C # 175°C (TJ) |
型号：
品牌：
供货：锐单
库存： MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
+ -
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