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IRLL024NTRPBF
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.4A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
品牌：Infineon Technologies
库存：0
货期： 7~10工作日
IRLL024NTRPBF
场效应管, MOSFET, N沟道, 55V, 3.1A, SOT-223-3
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IRLL024NTRPBF
Days to ship 10
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IRLL024NTRPBF
Days to ship 3
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IRLL024NTRPBF
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IRLL024NTRPBF
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IRLL024NTRPBF
MOSFET, N CH, 55V, 3.1A, SOT-223-3
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IRLL024NTRPBF
Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=55 V, 4.4 A, SOT-223, 贴片安装, 3引脚, IRLL024NTRPBF
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IRLL024NTRPBF
Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=55 V, 4.4 A, SOT-223, 贴片安装, 3引脚, IRLL024NTRPBF
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
IRLL024NTRPBF
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Infineon Technologies |
| 包装: | 剪切带（CT）,卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | HEXFET® |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 55 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 3.1A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 4V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 65 毫欧 3.1A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2V 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 15.6 nC 5 V |
| Vgs（最大值）: | ±16V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 510 pF 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 1W（Ta） |
| 工作温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | SOT-223 |
| 封装/外壳: | TO-261-4，TO-261AA |
| 温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
型号：
品牌：
供货：锐单
单价：
货期：1-2天
单价：￥0.00总价：￥0.00