IRFH5406TRPBF
Infineon N沟道MOS管, Vds=60 V, 40 A, PQFN 5mm x 6mm, 通孔安装, IRFH5406TRPBF
品牌:Infineon
库存:0
货期: 7~10工作日
IRFH5406TRPBF
Infineon N沟道MOS管, Vds=60 V, 40 A, PQFN 5mm x 6mm, 通孔安装, IRFH5406TRPBF
品牌:Infineon
库存:0
货期: 7~10工作日
属性 | 参数值 |
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品牌: | Infineon Technologies |
包装: | 散装,剪切带(CT),卷带(TR) |
封装/外壳: | * |
系列: | HEXFET® |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | N 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 60 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 11A(Ta),40A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 14.4 毫欧 24A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4V 50µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 35 nC 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 1256 pF 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 3.6W(Ta),46W(Tc) |
工作温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
安装类型: | 表面贴装型 |
供应商器件封装: | 8-PQFN(5x6) |
封装/外壳: | 8-PowerVDFN |
温度: | -55°C # 150°C(TJ) |
型号:
品牌:
供货:锐单
单价:
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00