IPP120P04P4L03AKSA2
Power MOSFET Transistor
品牌:
库存:0
货期: 7~10工作日
属性 | 参数值 |
---|---|
品牌: | Infineon Technologies |
包装: | 管件 |
封装/外壳: | * |
系列: | OptiMOS®-P2 |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | P 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 40 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 120A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 3.4 毫欧 100A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 2.2V 340µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 234 nC 10 V |
Vgs(最大值): | +5V,-16V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 15000 pF 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 136W(Tc) |
工作温度: | -55°C # 175°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
供应商器件封装: | PG-TO220-3-1 |
封装/外壳: | TO-220-3 |
温度: | -55°C # 175°C(TJ) |
型号:
品牌:
供货:锐单
单价:
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00