自营
IRF820
N沟道 500V 2.5A
品牌：ON
库存：1000 +
货期： 1~2工作日
销售单价： 1+ ￥4.305344
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销售单价： 1+ ￥4.138147
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IRF820
IRF820 VBSEMI/台湾微碧半导体
品牌：VBsemi
库存：1000 +
货期： 1~2工作日
销售单价： 10+ ￥2.087754
最低起订
销售单价： 1+ 需询价
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DigiKey
销售单价： 503+ ￥8.504093
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Mouser
IRF820
Trans MOSFET N-CH 500V 2.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
品牌：SAMSUNG
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 1+ ￥17.438273
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IRF820
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | STMicroelectronics |
| 包装: | 管件 |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | PowerMESH™ II |
| 零件状态: | 停产 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 500 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 4A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 3 欧姆 1.5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 4V 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 17 nC 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 315 pF 25 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 80W（Tc） |
| 工作温度: | 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 通孔 |
| 供应商器件封装: | TO-220 |
| 封装/外壳: | TO-220-3 |
| 温度: | 150°C（TJ） |
型号：
品牌：
供货：锐单
库存： MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
+ -
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