IRFD9024PBF
Trans MOSFET P-CH 60V 1.6A 4-Pin HVMDIP
品牌:Vishay
库存:0
货期: 7~10工作日
IRFD9024PBF
MOSFET 60V P-CH HEXFET MOSFET H
品牌:VISHAY
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货期: 7~10工作日
IRFD9024PBF
场效应管, MOSFET, P, DIL
品牌:VISHAY
库存:0
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Days to ship 9
品牌:VISHAY
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品牌:VISHAY
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IRFD9024PBF
Single P-Channel 60 V 0.28 Ohms Through Hole Power Mosfet - HVMDIP-4
品牌:VISHAY
库存:0
货期: 7~10工作日
IRFD9024PBF
MOSFET, P, DIL
品牌:VISHAY
库存:0
货期: 7~10工作日
IRFD9024PBF
Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 1.6 A, HVMDIP, 通孔安装, 4引脚, IRFD9024PBF
品牌:VISHAY
库存:0
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IRFD9024PBF
Vishay P沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 1.6 A, HVMDIP, 通孔安装, 4引脚, IRFD9024PBF
品牌:VISHAY
库存:0
货期: 7~10工作日
属性 | 参数值 |
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品牌: | Vishay Siliconix |
包装: | 管件 |
封装/外壳: | * |
系列: | |
零件状态: | 在售 |
FET 类型: | P 通道 |
技术: | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss): | 60 V |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 1.6A(Ta) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): | 280 毫欧 960mA,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): | 4V 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): | 19 nC 10 V |
Vgs(最大值): | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): | 570 pF 25 V |
FET 功能: | - |
功率耗散(最大值): | 1.3W(Ta) |
工作温度: | -55°C # 175°C(TJ) |
安装类型: | 通孔 |
供应商器件封装: | 4-HVMDIP |
封装/外壳: | 4-DIP(0.300,7.62mm) |
温度: | -55°C # 175°C(TJ) |
型号:
品牌:
供货:锐单
单价:
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00