销售单价： 10+ ￥12.172752
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销售单价： 1+ ￥8.630325
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销售单价： 4000+ ￥23.609376
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IRFH5250TRPBF
IRFH5250TRPBF VBSEMI/微碧半导体
品牌：
库存：1000 +
货期： 1~2工作日
销售单价： 1+ ￥6.121984
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销售单价： 4000+ ￥4.403606
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销售单价： 4000+ ￥11.888809
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自营
销售单价： 4000+ ￥5.597434
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DigiKey
销售单价： 4000+ ￥9.672347
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Mouser
销售单价： 1+ ￥27.311154
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IRFH5250TRPBF
场效应管, MOSFET, N沟道, 100V, 55A, PQFN-8
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 1+ ￥15.968332
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IRFH5250TRPBF
Days to ship 3
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 1+ ￥23.237802
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IRFH5250TRPBF
Days to ship 9
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 4000+ ￥5.971468
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IRFH5250TRPBF
MOSFET, N-CH, 25V, 100A, PQFN-8
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 1+ ￥16.568352
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IRFH5250TRPBF
Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=25 V, 100 A, PQFN 5 x 6封装, 表面贴装, 4引脚
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 1000+ ￥9.714091
最低起订
IRFH5250TRPBF
Infineon N沟道增强型MOS管 HEXFET系列, Vds=25 V, 100 A, PQFN 5 x 6封装, 表面贴装, 4引脚
品牌：Infineon
库存：0
货期： 7~10工作日
销售单价： 10+ ￥9.812792
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IRFH5250TRPBF
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Infineon Technologies |
| 包装: | 剪切带（CT）,卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | HEXFET® |
| 零件状态: | 在售 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 25 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 45A（Ta），100A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 1.15 毫欧 50A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.35V 150µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 110 nC 10 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 7174 pF 13 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 3.6W（Ta），160W（Tc） |
| 工作温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | 8-PQFN（5x6） |
| 封装/外壳: | 8-PowerVDFN |
| 温度: | -55°C # 150°C（TJ） |
型号：
品牌：
供货：锐单
库存： MPQ：4000 MOQ：1
单价：
货期：1-2天
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