IXFN110N60P3

自营

IXFN110N60P3

品牌:

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥1108.025178
最低起订

自营

IXFN110N60P3

MOSFET N-CH 600V 90A SOT227

品牌:IXYS

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥221.756471
最低起订

DigiKey

IXFN110N60P3

MOSFET N-CH 600V 90A SOT227

品牌:IXYS

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥542.475087
最低起订

Mouser

IXFN110N60P3

MOSFET N-CH 600V 90A SOT227

品牌:IXYS

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥551.495997
最低起订

艾睿

IXFN110N60P3

Trans MOSFET N-CH 600V 90A 4-Pin SOT-227B

品牌:

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 10+ ¥369.655846
最低起订

IXFN110N60P3

属性 参数值
品牌: IXYS
包装: 管件
封装/外壳: *
系列: HiPerFET™, Polar3™
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 90A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 56 毫欧 55A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 5V 8mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 245 nC 10 V
Vgs(最大值): ±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 18000 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 1500W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 底座安装
供应商器件封装: SOT-227B
封装/外壳: SOT-227-4,miniBLOC
温度: -55°C # 150°C(TJ)

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供货:锐单

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