IXFT50N20

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IXFT50N20

MOSFET N-CH 200V 50A TO-268

品牌:IXYS

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IXFT50N20

属性 参数值
品牌: IXYS
包装: 管件
封装/外壳: *
系列: HiPerFET™
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 50A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 45 毫欧 25A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 4mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 220 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 4400 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 300W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 表面贴装型
供应商器件封装: TO-268AA
封装/外壳: TO-268-3,D³Pak(2 引线 + 接片),TO-268AA
温度: -55°C # 150°C(TJ)

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