IRFU110PBF

IRFU110PBF

MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA

品牌:Vishay

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥2.995367
最低起订

IRFU110PBF

场效应管(MOSFET) IRFU110PBF TO-251

品牌:Vishay

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥12.096144
最低起订

自营

IRFU110PBF

MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA

品牌:Vishay

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥4.829853
最低起订

IRFU110PBF

IRFU110PBF VBSEMI/微碧半导体

品牌:

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 5+ ¥1.539178
最低起订

IRFU110PBF

MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA

品牌:Vishay

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 3000+ ¥3.139479
最低起订

IRFU110PBF

IRFU110PBF VBSEMI/微碧半导体

品牌:

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 10+ ¥1.539178
最低起订

自营

IRFU110PBF

MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA

品牌:Vishay

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥8.05734
最低起订

DigiKey

IRFU110PBF

MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA

品牌:Vishay

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥13.923056
最低起订

Mouser

IRFU110PBF

MOSFET N-CH 100V 4.3A TO251AA

品牌:Vishay

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥12.062444
最低起订

艾睿

IRFU110PBF

Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK

品牌:

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 3000+ ¥6.960593
最低起订

IRFU110PBF

MOSFET 100V N-CH HEXFET I-PAK

品牌:VISHAY

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 3000+ ¥5.142183
最低起订

IRFU110PBF

Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK

品牌:VISHAY

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 29+ ¥3.161702
最低起订

IRFU110PBF

Trans MOSFET N-CH 100V 4.3A 3-Pin(3+Tab) IPAK

品牌:VISHAY

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 17+ ¥3.209987
最低起订

IRFU110PBF

Days to ship 9

品牌:VISHAY

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 5+ ¥12.538538
最低起订

IRFU110PBF

Single N-Channel 100 V 0.54 Ohms Through Hole Power Mosfet - IPAK (TO-251)

品牌:VISHAY

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 75+ ¥3.940684
最低起订

IRFU110PBF

Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 4.3 A, IPAK (TO-251)封装, 通孔安装, 3引脚

品牌:VISHAY

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 75+ ¥5.073353
最低起订

IRFU110PBF

Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 4.3 A, IPAK (TO-251)封装, 通孔安装, 3引脚

品牌:VISHAY

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 10+ ¥5.073353
最低起订

IRFU110PBF

属性 参数值
品牌: Vishay Siliconix
包装: 管件
封装/外壳: *
系列:
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.3A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 540 毫欧 900mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4V 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 8.3 nC 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 180 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 25W(Tc)
工作温度: -55°C # 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: TO-251AA
封装/外壳: TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
温度: -55°C # 150°C(TJ)

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