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IRF6617TR1
Trans MOSFET N-CH Si 30V 14A 7-Pin Direct-FET ST T/R
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IRF6617TR1
| 属性 | 参数值 |
|---|---|
| 品牌: | Infineon Technologies |
| 包装: | 卷带（TR） |
| 封装/外壳: | * |
| 系列: | HEXFET® |
| 零件状态: | 停产 |
| FET 类型: | N 通道 |
| 技术: | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss）: | 30 V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): | 14A（Ta），55A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: | 8.1 毫欧 15A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: | 2.35V 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: | 17 nC 4.5 V |
| Vgs（最大值）: | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: | 1300 pF 15 V |
| FET 功能: | - |
| 功率耗散（最大值）: | 2.1W（Ta），42W（Tc） |
| 工作温度: | -40°C # 150°C（TJ） |
| 安装类型: | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装: | DIRECTFET™ ST |
| 封装/外壳: | DirectFET™ 等容 ST |
| 温度: | -40°C # 150°C（TJ） |
型号：
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供货：锐单
库存： MPQ：4000 MOQ：1
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