IRLU3110ZPBF

IRLU3110ZPBF

MOSFET N-CH 100V 42A IPAK

品牌:INFINEON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥6.120749
最低起订

IRLU3110ZPBF

MOSFET N-CH 100V 42A IPAK

品牌:INFINEON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥14.778577
最低起订

自营

IRLU3110ZPBF

MOSFET N-CH 100V 42A IPAK

品牌:INFINEON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥15.582287
最低起订

IRLU3110ZPBF

MOSFET N-CH 100V 42A IPAK

品牌:INFINEON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥7.47054
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IRLU3110ZPBF

MOSFET N-CH 100V 42A IPAK

品牌:INFINEON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 10+ ¥19.061498
最低起订

IRLU3110ZPBF

MOSFET N-CH 100V 42A IPAK

品牌:INFINEON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥11.688343
最低起订

IRLU3110ZPBF

MOSFET N-CH 100V 42A IPAK

品牌:INFINEON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 10+ ¥17.846958
最低起订

自营

IRLU3110ZPBF

MOSFET N-CH 100V 42A IPAK

品牌:INFINEON

库存:1000 +

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥11.707335
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DigiKey

IRLU3110ZPBF

MOSFET N-CH 100V 42A IPAK

品牌:INFINEON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥28.639243
最低起订

IRLU3110ZPBF

MOSFET N-CH 100V 42A IPAK

品牌:INFINEON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 3000+ ¥11.389835
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Mouser

IRLU3110ZPBF

MOSFET N-CH 100V 42A IPAK

品牌:INFINEON

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥34.989905
最低起订

艾睿

IRLU3110ZPBF

Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube

品牌:Infineon Technologies

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 3000+ ¥10.475339
最低起订

IRLU3110ZPBF

场效应管, MOSFET, N 100V I-PAK

品牌:Infineon

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥19.661223
最低起订

IRLU3110ZPBF

Days to ship 3

品牌:Infineon

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥24.562106
最低起订

IRLU3110ZPBF

Days to ship 10

品牌:Infineon

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 1+ ¥24.757043
最低起订

IRLU3110ZPBF

Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 63 A, IPAK (TO-251), 通孔安装, 3引脚, IRLU3110ZPBF

品牌:Infineon

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 75+ ¥11.985252
最低起订

IRLU3110ZPBF

Infineon N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 63 A, IPAK (TO-251), 通孔安装, 3引脚, IRLU3110ZPBF

品牌:Infineon

库存:0

货期: 1~2工作日 7~10工作日

销售单价: 5+ ¥15.161284
最低起订

IRLU3110ZPBF

属性 参数值
品牌: Infineon Technologies
包装: 管件
封装/外壳: *
系列: HEXFET®
零件状态: 在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 42A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 14 毫欧 38A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 2.5V 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 48 nC 4.5 V
Vgs(最大值): ±16V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 3980 pF 25 V
FET 功能: -
功率耗散(最大值): 140W(Tc)
工作温度: -55°C # 175°C(TJ)
安装类型: 通孔
供应商器件封装: IPAK(TO-251AA)
封装/外壳: TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
温度: -55°C # 175°C(TJ)

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